時科SKQ80N03AD N-MOS的核心优势解析

1112025-09-30

随着电子设备向高效率、低功耗和高可靠性方向发展，MOSFET作为核心元器件，其性能直接影响整体电路设计的成败。時科推出的 SKQ80N03AD N-MOS 是一款采用 Trench 工艺制造的低导通电阻、高效率、高耐压的产品，在多个关键性能领域表现卓越。

最大漏-源电压（VDS）：30V

连续漏电流（ID）：80A

最大栅-源电压（VGS）：±20V

导通电阻（RDS(on)）：5.1mΩ @ VGS=10V 11.1mΩ @ VGS=4.5V

开启电压（VGS(th)）：1.0~2.5V

工作结温范围（TJ）：-55~150℃

封装类型：PDFN5060

制造工艺：Trench 工艺

极低的导通电阻（RDS(on)

Trench结构设计的双重优化：

Trench MOSFET通过在外延硅内部形成深而窄的沟槽，显著增大了导电通道的有效截面积，从而有效降低导通电阻。相较于传统平面结构，Trench 工艺消除了寄生 JFET 电阻，使导通电阻进一步降低。

時科优势数据：

SKQ80N03AD 的导通电阻在 VGS=10V 时仅为 5.1mΩ，在 VGS=4.5V 时为 11.1mΩ，显著降低功率损耗，特别适用于高效能电源转换和大电流应用。

低开关损耗

更低的反向恢复电荷（Qrr）：

Trench 工艺缩短沟道长度，提高载流子迁移速度，显著减少反向恢复时的电荷积累，从而降低开关损耗。

实际效益：

导通和关断的能量损失减少，有效提升设备的整体转换效率，是高频应用的理想选择。

高耐压性能

均匀电场分布：

漏源区域的表面积增大，使电场均匀分布，避免局部电场过高引起的击穿风险，提升了器件的整体耐压能力。

時科数据支持：

SKQ80N03AD 提供 30V 的漏源耐压，是低压大电流应用的优选解决方案，如电池管理、DC-DC 转换和马达驱动。

抗漏电性能强

优化的PN结结构：

Trench 工艺增加了绝缘区域的厚度和面积，使漏电流跨越更宽的耗尽区，提高抗漏电能力。

绝缘材料的应用：

沟槽内填充高性能绝缘材料（如 SiO₂），进一步增强了器件的绝缘能力，确保在高压环境下的低漏电表现。

高压稳定性：

Trench 工艺的沟槽栅结构优化了器件的电场分布，增强击穿电压能力，从而提高高压下的运行安全性。在长时间工作中，SKQ80N03AD 可保持性能稳定，特别适用于对安全性要求较高的工业控制场景。

优异的热稳定性：

深沟槽结构优势：

Trench 工艺优化了散热路径，确保器件能够迅速导出热量，减少局部温升，降低过热风险。

广泛的工作温度范围：

SKQ80N03AD 支持 -55~150℃ 的工作温度范围，满足多种极端环境需求，是高稳定性应用的不二之选。

結语

時科 SKQ80N03AD N-MOS 以其低导通电阻、高耐压、高效率等特点，成为工程师在多种应用场景中的首选。无论是在电池管理、电源转换，还是电机驱动领域，SKQ80N03AD 都能以卓越的性能助力设备实现高效能和高可靠性。

选择 SKQ80N03AD，意味着选择了效率、安全与创新并存的高性能解决方案。