驱动高功率新时代 —— 時科SKSC075N005-S7 SiC功率MOSFET
72025-10-14在能源转换驱动全球产业升级的背景下，电力电子系统正迈向更高效率、更高功率密度与更高可靠性的时代。无论是光伏逆变、储能系统、充电桩还是工业电机驱动系统，都极需能够在高压、高频、高温工况下稳定运行的半导体器件。在此趋势下，第三代半导体——碳化硅（SiC）MOSFET迅速崛起，成为高效能功率转换的核心器件。
時科SKSC075N005-S7正是为高性能功率系统而生的一款750V工业级SiC MOSFET功率模块，凭借高耐压、大电流、低损耗、高可靠等特性，助力客户全面提升系统效率与可靠性。
01.产品核心参数
02.产品优势
第三代半导体技术，性能全面领先
SKSC075N005-S7采用碳化硅（SiC）材料与先进MOSFET结构设计，相较传统硅基MOSFET与IGBT，具备：
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更低的开关损耗
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更高的工作电压与效率
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支持高频开关设计
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更小系统体积与成本优化
低导通电阻，超高电流能力
该器件在VGS=18V条件下导通阻抗仅5mΩ（典型），支持最高355A连续电流输出，并具备1168A脉冲电流承载能力，实现高功率系统的低损耗运行。
高频开关性能优异
由于SiC材料具备更高的击穿电场及低寄生电容，芯片具备低Qg、低Coss、低Qrr特性，可显著减小EMI噪声与开关损耗，提高逆变系统效率。
高温可靠运行
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最高结温175℃
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低热阻Rth(j-c)=0.18K/W
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支持严苛工业环境应用
安全绝缘与封装增强
采用SOT-227工业级封装，具备：
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4300V隔离耐压
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强化封装结构
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螺栓固定方式便捷安装
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兼容并联设计，支持扩容
03.应用领域广泛
SKSC075N005-S7 SiC MOSFET凭借高耐压、超低导通电阻与高频开关能力，被广泛应用于中高功率能源系统中，不仅适用于多种行业场景，还能显著提升系统效率与可靠性。
新能源发电系统
应用领域：光伏逆变器（PV Inverter）、储能并网系统、MPPT模块
应用优势：
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低开关损耗支持更高开关频率，提高逆变效率
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5mΩ超低RDS(on)有效降低导通损耗，提高系统能量转换率
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支持高温运行，适应户外电站长时间稳定工作
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可替代IGBT方案，减少系统散热体积和重量
储能系统 ESS
应用领域：工商业储能系统、分布式储能、光储一体化逆变系统
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支持大电流运行（高达355A），满足高倍率充放需求
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低寄生参数降低系统EMI，提高系统整体稳定性
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通过SiC方案提升转换效率2%~4%，实现更高能量利用率
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支持模块并联扩容，提高储能系统设计灵活性
新能源汽车与充电系统
应用领域：DC快充桩（30kW~120kW）、OBC车载充电器、DC-DC电源模块
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高频特性支持更高功率密度设计，缩小车载充电体积
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耐高压与高脉冲电流，适合高动力应用
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减少系统热损耗，降低车辆能耗
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提升快充效率，加速新能源充电生态发展
工业电机驱动与变频系统
应用领域：伺服电机驱动器、工业变频器、机器人运动控制
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高频开关降低电机谐波损耗，提升运行顺畅度
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温度稳定性强，可靠适应高负载连续工作场景
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低导通阻抗提升系统效率，降低运行能耗
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支持重载启动与动态负载工况，性能更可靠
高功率SMPS与工业电源
应用领域：大功率开关电源、激光电源、电焊机、感应加热
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SiC高频特性使电源可使用更小磁性材料，提高功率密度
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减少电源体积和重量，提升系统竞争力
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优秀的雪崩耐量提升系统极端工况下安全性
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大幅降低散热系统设计成本
UPS与数据中心供电
应用领域：UPS不间断电源、数据中心双变换电源
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提升AC/DC和DC/DC转换效率，减少能耗
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降低UPS系统热管理压力，延长寿命
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高可靠性保障数据中心7×24小时稳定运行
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易并联设计适用于高功率冗余系统
04.结语
在功率升级的新时代，效率、安全与可靠性是每一套能源系统的核心追求。時科凭借完整的功率半导体布局推出SKSC075N005-S7，以先进SiC技术和稳定性能，为客户提供持续可靠的能源转换方案。
选择時科，选择高效能源未来。
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