高效·稳定·可靠的中高功率IGBT解决方案
112025-12-08在新能源、高端工业设备与智能制造加速升级的时代，功率器件正成为系统效率与稳定性的核心变量。无论是逆变焊机、电机驱动、UPS电源、光伏储能逆变器，还是高性能电源模块，一颗高效、安全、可靠的IGBT，都决定着系统能否在高压、大电流、复杂工况下稳定运行。
時科 SKIS50N65-T7 正是在这样的行业需求下诞生的一款性能旗舰级 IGBT。基于先进的场截止（Field-stop）与沟槽栅（Trench Gate）工艺打造，它在导通损耗、开关速度、安全裕量与散热能力上，都实现了面向高功率应用的全面优化，是中高功率工程师的强力选择。
性能与可靠性的双重平衡
時科 SKIS50N65-T7 采用 650V 的耐压平台，具备 50A 的持续电流能力，支持高脉冲能力与优异的短路耐量。其核心设计目标，是在高压环境下实现更低的损耗、更稳定的热表现和更强的系统鲁棒性。
核心参数亮点包括：
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| V<sub>CES</sub> | 650V |
| I<sub>C</sub>（@25℃） | 50A |
| V<sub>CE(sat)</sub> | 典型 1.75V（低饱和压降低损耗） |
| E<sub>OFF</sub> / E<sub>ON</sub> | 低开关能量特性 |
| T<sub>J</sub> Max | 175℃ 结构级高可靠 |
凭借优秀的动态特性与低VCE(sat)，SKIS50N65-T7 在实际应用中可显著降低系统发热，提高功率密度，并在谐振、硬开关等场景下保持稳定表现。
三重安全结构
- 晶圆工艺：高电压平台下的安全余量提升
SKIS50N65-T7 采用行业成熟的 Field-stop + Trench 工艺，具备以下优势：
- 电场分布更均衡，提升抗击穿能力
- 饱和压降低，导通损耗显著减小
- 强雪崩耐量，防止电感负载产生的瞬态冲击
- 正温度系数设计，避免并联应用中电流抢占
在高压反复冲击、电源波动、频繁启停等严苛工况下，SKIS50N65-T7 均能保持稳定输出。
2. 封装设计：高效散热结构的工程级强化
SKIS50N65-T7 采用业内广泛验证的 TO-247-3 大功率封装，具备：
- 大面积散热金属底板，导热效率更高
- 针脚粗壮，保证大电流下的低阻抗传输
- 绝缘与耐高温注塑材料，稳定应对 175℃ 结温
封装整体通过多项 JEDEC 可靠性测试，包括：
- 高温反偏 HTRB
- 高温高湿 H3TRB
- 温度循环 TC
- 功率循环测试
让器件在高功率、高环境温度、高振动条件下仍能保持长寿命运行。
3. 内部框架：更低阻抗、更强机械强度
时科工程团队优化了内部金属布线框架，增强了：
- 电流均匀分布能力，降低热点风险
- 更低寄生电感，有效抑制开关尖峰
- 多点键合技术，提高焊线可靠性与抗震性能
三重安全结构协同，使得 SKIS50N65-T7 具备行业领先的工程可靠性。
面向未来的高功率核心器件
SKIS50N65-T7 特别适用于 50A~100A 中高功率段 的功率变换系统，包括但不限于：
- 工业逆变焊机
- 高频率响应快、损耗低
- 可显著提升焊机效率与稳定性
2. 工业电机驱动（变频器VFD）
- 在高压关断下保持安全裕量
- 优化启动冲击与制动能量管理
3. UPS / IDC 电源
- 高可靠性支撑 7*24 小时持续运行
- 更低损耗降低系统能耗
4. 太阳能逆变器 / 储能 BMS 功率级
- 在高温户外环境中保持稳定
- 支持并联方案，提高系统输出能力
5. 大功率开关电源（SMPS）
- 提升能效等级
- 降低发热，提高产品寿命
为什么选择時科
- 体系化供应链能力：从晶圆到封装，实现快速交付
- 工程级品质管控：100% EAS、短路测试筛选
- 本地技术支持：提供应用端方案指导
- 持续产品升级：覆盖 40A—150A、650V—1200V 全平台
時科坚持“让好产品拥有良芯”，持续赋能产业客户。
在全球能源结构变革与产业升级的大背景下，高性能 IGBT 正成为各类电力电子设备的核心推动力。时科 SKIS50N65-T7 凭借领先的工艺技术、多重安全结构与广泛的应用适配性，已成为工程师在中高功率领域的理想选择。
