为高效率电力系统而生的核心器件

为高效率电力系统而生的核心器在新能源、电力电子与工业控制快速发展的今天，系统对功率器件提出了更高要求—— 更高耐压、更低损耗、更快开关速度以及更强可靠性 。尤其是在高频、高温、高功率密度应用场景中，传统硅基二极管的性能瓶颈日益凸显。

在这一背景下， 時科（SHIKUES）推出 Q-SSC05120-T 碳化硅肖特基二极管（SiC SBD） ，以先进的材料与器件结构，为新一代高效电力系统提供更加可靠的整流解决方案。

Part.01

面向高端功率系统的 SiC 整流核心

Q-SSC05120-T 是一款 1200V / 5A 等级的碳化硅肖特基势垒二极管，专为 高压、高频、高效率应用 设计。相较传统硅二极管，它在反向恢复、电流开关特性及热稳定性方面具有显著优势，是光伏逆变器、UPS、电机驱动与PFC电路中的理想选择。

Part.02

关键参数实力，奠定高性能基础

从核心规格来看，Q-SSC05120-T 在耐压、电流与热性能方面均表现出色：

• 重复峰值反向耐压（VRRM）：1200V
• 连续正向电流（IF）：5A（TC=141℃）
• 浪涌电流能力（IFSM）：51A（10ms，TC=25℃）
• 最高结温（TJ）：175℃
• 功率耗散能力（PD）：90.8W

在动态特性方面，产品具备 无反向恢复电流、无正向恢复 的典型 SiC 特性，总电荷 QC 仅为 24nC ，大幅降低开关损耗，为高频应用带来显著优势。

Part.03

效率与可靠性的双重提升

1. 零反向恢复，显著降低开关损耗

Q-SSC05120-T 采用碳化硅肖特基结构，从根本上消除了反向恢复电流问题，在高频开关状态下仍能保持稳定、干净的电流波形，显著降低EMI风险与系统能耗。

2.高温稳定性强，适应严苛工况

在 -55℃ 至 175℃ 的宽结温范围内，器件电气特性保持高度稳定，特别适合新能源、电力工业等高温、高负载运行环境。

3.优异的热性能设计

TO-220AC 封装配合低热阻设计，使器件在高功率工作条件下依然具备良好的散热能力，减少对复杂散热结构的依赖，提升系统整体可靠性。

Part.04

封装与系统集成优势

Q-SSC05120-T 采用 TO-220AC 封装，兼顾功率承载能力与装配便利性，适用于自动化生产与成熟电源平台设计。同时，该封装在散热片安装、电气绝缘及机械强度方面表现稳定，有利于系统长期可靠运行。

Part.05

典型应用场景

• 光伏逆变器 / 新能源系统

在高压直流到交流转换过程中，SiC SBD 能显著提升整机效率，降低损耗与体积。

• UPS 不间断电源

在高频整流与旁路电路中，保证系统在突发负载下依旧稳定运行。

• 功率因数校正（PFC）电路

适用于高频PFC拓扑，减少损耗、提升功率密度。

• 工业电机驱动

在高压、大电流、强感性负载环境中，提供更高系统安全裕量。

Part.06

为高效电力系统注入“碳化硅力量”

Q-SSC05120-T 不只是一次材料升级，更是電力电子系统向 高效率、高可靠、高功率密度 迈进的重要一步。 凭借出色的耐压能力、零反向恢复特性及卓越的热稳定性，它正在成为新一代新能源与工业电源设计中的关键器件。