SKI2263-D8 电流模式PWM控制器:低功率电源的高效率控制解决方案

342026-06-09

产品概述

SKI2263-D8 是 SHIKUES(時科)推出的一款电流模式 PWM 控制器,专为低功率 AC/DC 充电器、电源适配器及辅助电源系统设计。该产品集成低启动电流、Burst Mode 节能模式、频率抖动、软启动以及完善的保护功能,为电源系统提供高效、稳定、可靠的控制解决方案。


核心参数

参数项 典型值
启动电流 3 μA(典型值)
工作电流 1.4 mA(典型值)
典型工作频率 65 kHz
工作频率调节范围 50 kHz~130 kHz(外接 RI 电阻)
最大占空比 80%
GATE 驱动电压 10 V
栅极钳位电压 18 V
UVLO 启动电压 15.2 V(典型值)
UVLO 关闭电压 9.6 V(典型值)
VDD 钳位电压 33 V
OCP 过流检测阈值 0.75 V(典型值)
OLP 过载保护延迟 约 60 ms
Burst Mode 工作频率 约 22 kHz
频率抖动范围 ±3%

主要特性

超低启动电流

启动电流仅 3 μA(典型值),工作电流 1.4 mA(典型值)。超低启动电流使工程师可以采用更大阻值的启动电阻,进一步降低待机损耗。

Burst Mode 节能模式

当系统进入轻载或待机状态时,SKI2263 自动切换至 Burst Mode 模式,工作频率降至约 22 kHz,通过脉冲间歇方式降低 MOSFET 开关损耗、变压器损耗及整机待机功耗,帮助产品满足各类能效法规要求。

可编程工作频率

通过外接 RI 电阻,工作频率可在 50 kHz~130 kHz 范围内灵活调节,典型工作频率为 65 kHz,方便针对不同功率等级与 EMI 需求进行优化设计。

内置频率抖动

芯片内部集成 ±3% 频率抖动功能,有效分散开关频谱能量,降低 EMI 峰值,帮助系统更容易通过 EMC 测试认证。

软启动保护

内置软启动功能,系统启动过程中 PWM 占空比逐步增加,降低启动浪涌电流,减少 MOSFET 与变压器所受冲击,提升系统寿命与可靠性。

内置 LEB 前沿消隐

集成 Leading Edge Blanking 技术,自动滤除 MOSFET 导通瞬间产生的尖峰干扰,避免误触发过流保护,提高系统稳定性,同时减少外围器件数量,降低 BOM 成本。


保护功能

OCP 过流保护: 实时监控 CS 采样信号,异常过流时快速响应,过流检测阈值约 0.75 V(典型值)。

OLP 过载保护: 持续过载约 60 ms 后进入保护状态。

UVLO 欠压锁定: 启动电压 15.2 V(典型值),关闭电压 9.6 V(典型值),保证系统始终工作在安全区域。

VDD 过压保护: VDD 钳位电压 33 V,有效防止辅助绕组异常导致芯片损坏。


典型应用架构

SKI2263 适用于反激式电源方案,典型架构为:

SKI2263 + MOSFET + 反激变压器 + TL431 + 光耦反馈

交流输入经 EMI 滤波网络处理后,通过整流桥转换为高压直流母线。SKI2263 作为控制核心,负责 PWM 脉冲生成、MOS 驱动控制、峰值电流控制、输出反馈调节及系统保护管理。MOSFET 源极串联采样电阻,将电流信号送入 CS 引脚,实现逐周期限流与 OCP 保护。输出侧采用 TL431 与光耦构成隔离反馈回路,实现高精度稳压控制。


典型应用领域

  • 手机充电器
  • AC/DC 电源适配器(适用于 5 W~30 W 方案)
  • 机顶盒电源
  • 智能家居电源
  • IoT 物联网设备
  • 工业辅助电源

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