SIC肖特基二極管優勢
SIC肖特基二極管應用於一些具有臨界效率的電力電子器件中。與傳統矽相比，碳化矽具有以下優點：碳化矽的間隙寬度Eg幾乎是矽的三倍，約為3.26eV，而矽的間隙寬度Eg為1.12eV，因此碳化矽的反向電流低得多
碳化矽的臨界擊穿電場強度約為矽的9倍，為2.2MV/cm，而矽的臨界擊穿電場強度為0.25MV/cm。碳化矽半導體的摻雜濃度可以進一步增加，以減小其寬度，寬度與阻擋電壓成正比。這意味著與矽基二極管相比，碳化矽二極管的阻抗將顯著降低，熱導率在3.0-3.8w/cmk之間，而矽的熱導率為1.5w/cmk，這意味著相同表面積的半導體芯片的熱阻會降低。
碳化矽的優勢，其應用範圍可以擴展到200V以上。對於不同的應用，碳化矽肖特基二極管具有以下優點：等效電容引起的反向恢復電荷很小，因此反向峰值電流經常出現在矽二極管中，幾乎不再存在；無論負載電流或溫度變化，反向充電引起的電流變化率di/dt低至零；工作結溫可高於200℃。
時科SIC肖特基二極管新品；
VRRM：650VIF@TC=133℃：8AQC@VR=400V：34.2nC
EC@VR=400V:5.02μJ
Package:TO-252
VRRM：650VIF@TC=128℃：10AQC@VR=400V：26.5nC
EC@VR=400V:6.57μJ
Package:TO-252
VRRM：650VIF@TC=127℃：15AQC@VR=400V：37.9nC
EC@VR=400V:9.36μJ
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VRRM：650VIF@TC=133℃：8AQC@VR=400V：34.2nC
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Package:TO-220-2L
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VRRM：650VIF@TC=127℃：15AQC@VR=400V：37.9nC
EC@VR=400V:9.36μJ
Package:TO-220-2L
時科新品肖特基可廣泛應用於轉換器、電焊機、逆變器、工業電源、安防電源、TV、醫療電源。利用具有獨特性能的碳化矽作為器件材料，能製造出接近理想功能特性的升壓二極管，並適合PFC應用中的各種功率級別。SiC肖特基二極管具有的無反向恢復電荷、反向特性與開關速度、溫度和正向電流無關的特性均能減少PFC應用中的功率損耗。這對服務器和高端PC電源來說尤其重要，因為效率提高的要求變得越來越重要，特別是要滿足80plus等法規要求時。
4712022-06-10
