高效能量控制的核心器件 SK05N50C 功率MOSFET
332025-09-08随着全球能源转型和电子设备的持续升级，电力电子行业对功率器件的性能提出了更高要求。无论是适配器、电源模块，还是高效开关电源与照明驱动，功率MOSFET都扮演着能量控制“核心开关”的角色。尤其是在高压应用场景中，如何实现更高的效率、更快的响应、更强的可靠性，已经成为电子制造商与系统集成商的共同关注点。
在此背景下，時科推出了SK05N50C。这是一款500V耐压、5A电流等级的高压N沟道功率MOSFET，采用低RDS(on)、快速开关设计，并具备优异的雪崩耐量与dv/dt能力，能够广泛应用于高压、高频的电源系统，为客户提供高效、稳定的解决方案。
性能指标一览
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型号：SK05N50C
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类型：N沟道功率MOSFET
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封装形式：TO-252（D-PAK），紧凑高效
核心电气特性（@25℃）
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击穿电压 BVdss：500V
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持续漏极电流 ID：5A（Tc=25℃），3.2A（Tc=100℃）
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脉冲电流 IDM：20A
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导通电阻 RDS(on)：≤1.6Ω（VGS=10V，ID=2.5A）
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栅极阈值电压 VGS(th)：2.0 ~ 4.0V
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栅极电压范围：±30V
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输入电容 Ciss：560pF
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输出电容 Coss：74pF
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反向传输电容 Crss：13pF
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总栅电荷 Qg：14nC
二极管特性
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体二极管连续电流 IS：5A
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二极管正向压降 VSD：1.4V（典型）
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反向恢复时间 trr：180ns
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反向恢复电荷 Qrr：1.9μC
热学特性
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结到壳热阻 RθJC：2.5℃/W
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结到环境热阻 RθJA：63℃/W
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工作温度范围：-55 ~ +150℃
性能与可靠的双重保障
1. 高耐压与安全余量
支持500V击穿电压，满足适配器、照明驱动和高压电源对安全裕度的严格要求，有效应对瞬态浪涌电压冲击。
2. 低RDS(on)，降低损耗
在10V栅压下典型RDS(on)仅为1.6Ω，减少导通损耗，提升能效，同时降低系统发热，为高频电源设计提供更高的效率。
3. 快速开关性能
总栅电荷仅14nC，开关延迟与上升/下降时间均处于百纳秒级别，支持高频工作，帮助电源厂商实现更紧凑、更轻量化的设计。
4. 强悍的雪崩耐量与dv/dt性能
经过雪崩能量测试与dv/dt验证，在高压开关和感性负载下仍能保持可靠性，确保器件在恶劣工况下安全运行。
5. 封装优化，散热与兼容性兼具
采用TO-252（D-PAK）封装，具备优良的热导性能，既利于电路板贴装，又可保证高功率条件下的散热需求，兼顾空间节省与可靠性。
6. 绿色环保设计
采用无铅工艺、符合RoHS与UL 94V-0阻燃标准，满足全球环保法规要求，便于客户在各类市场推广。
多元化场景的理想选择
✅ 开关电源（SMPS）
在高频开关电源设计中，SK05N50C凭借其低导通电阻与快速开关特性，可有效降低能量损耗，提升电源效率和功率密度。
✅ 适配器与充电器
广泛应用于笔记本、机顶盒、路由器等适配器中，实现小型化与高能效的统一，提升终端设备续航与安全性。
✅ LED照明驱动
在高压LED驱动电路中，器件的高耐压和快速开关特性保证电流驱动稳定，延长照明设备寿命并降低能耗。
✅ 电源逆变与小型UPS
在逆变器和小型不间断电源中，SK05N50C可承受高压和高频切换需求，保障设备在停电或电网波动时稳定输出。
✅ 工业与消费类电器
在电机驱动、小家电电源和其他高压电子设备中，提供稳定的开关性能，确保系统在长时间运行下依旧可靠。
高效、安全、低能耗理想之选
時科SK05N50C功率MOSFET凭借500V耐压、低RDS(on)、快速开关能力和高可靠性设计，为开关电源、适配器、LED驱动与逆变系统提供坚实保障。它不仅满足了当下对高能效和安全性的双重要求，也体现了時科对绿色环保和高性能器件的持续投入。
选择SK05N50C，就是选择更高效、更安全、更可靠的能量转换核心。
