高压小型·稳定高效 —— 時科SKJ10N80B
292025-09-10随着电力电子行业向高压、高频、小型化发展，各类电源设备和电力转换系统正经历一场深刻变革。在工业自动化、电网控制、LED照明、UPS、消费电子快充等领域，对高电压、小体积、高效率MOSFET的需求日益迫切。
传统硅MOSFET在高压下通常面临导通电阻偏高、开关损耗大、器件尺寸大、耐热性差等难题。为此，時科基于自主研发平台，推出全新一代多重外延结构超结MOSFET——SKJ10N80B。该器件具备800V耐压、10A电流、低至410mΩ导通阻抗的综合性能，并采用小型TO-252封装，在保证性能的同时大幅度节省空间，适用于对板载面积和热设计有较高要求的高压系统。
高压设计与紧凑封装的理想结合
产品型号：SKJ10N80B
封装形式：TO-252（贴片封装）
结构技术：N沟道 多重外延 超结MOSFET（Multi-EPI Super-Junction）
其特性确保了SKJ10N80B可在高电压、高频切换、高效率运行场景下长时间稳定工作，特别适合空间受限但对电气参数要求不妥协的系统。
小封装大能量
1. 高压能力，释放系统设计自由度
SKJ10N80B具备800V典型击穿电压，最大工作可达850V，为各种高压母线、反激式AC-DC变换器、照明驱动和隔离式拓扑结构提供足够的耐压余量，增强系统设计弹性。
2. 多重外延结构，低损耗运行
通过多层外延结构实现超结分布，有效提升器件击穿电压的同时大幅压缩导通电阻，导通电阻最低可达410mΩ，有效降低导通损耗和热耗，提升效率，延长整机寿命。
3. 开关性能优异，适合高频驱动
器件结构优化带来出色的dv/dt能力和稳定性，适合在高频变换环境中使用，特别适合硬开关、高频谐振等复杂拓扑，在不牺牲可靠性的前提下提高切换速度，减小外围电感与磁件体积。
4. 高可靠性，工业级稳定
SKJ10N80B支持-55℃~150℃宽结温运行，适配恶劣环境。栅极漏电与漏极漏电均控制在极低数值，进一步提升可靠性。通过长期雪崩测试验证，确保关键时刻稳定护航。
5. TO-252小封装，助力轻量化设计
采用紧凑型TO-252表贴封装，在确保散热性能的基础上，大幅压缩PCB面积，适用于嵌入式模块化电源、高密度电路板布局等追求极致空间利用率的系统场景。
全面赋能高压转换系统
SKJ10N80B凭借其高电压、小封装、优性能的特点，广泛应用于多个高压功率转换细分场景：
✅ AC-DC反激式电源
适用于输入电压为220V~400V的反激拓扑结构，如LED驱动、显示器电源、电视机电源等。SKJ10N80B提供高压保障与低导通损耗，提升效率、减小发热。
✅ 不间断电源（UPS）
用于开关桥臂或逆变单元中，可承受突发浪涌与长时间运行负载，助力系统在市电断电或不稳定情况下保障关键设备稳定运行。
✅ 工业控制模块
如PLC控制器、继电器驱动、变频模块中的高压控制段，SKJ10N80B可在高压瞬变下稳定驱动，支持高频启停的快速响应要求。
✅ 电池充电与能源管理系统
适用于小功率快充器、便携式逆变器、储能电池BMS高压检测与控制部分，提供安全可靠的电气开关能力，确保系统长期安全运行。
✅ 高压照明驱动
在LED日光灯、投光灯、高杆灯等高压照明场景中，SKJ10N80B可为LED驱动电路提供高压、高效率的稳定输出，减少光衰，提升整灯寿命。
SKJ10N80B不仅是一颗高性能MOSFET器件，更是時科深耕电力电子领域、技术沉淀与工艺创新的体现。它以小体积、高耐压、低损耗、强适应的综合优势，满足了各类高压转换设备对高可靠性与高集成度的双重需求。
在日益激烈的功率系统竞争中，选择SKJ10N80B，就是选择了性能稳定、设计高效、交付可靠的“芯”力量。時科将继续秉承“产品为王，客户至上”的理念，为客户提供更全面、更专业、更值得信赖的功率器件解决方案。
