开启高频高效新时代，SKGM10N65-N8

272025-09-12

在全球能源结构深度转型与“双碳目标”不断推进的背景下，电力电子行业面临着全新的挑战与机遇。一方面，人们对高密度、小型化、轻量化的电源系统需求不断上升，另一方面，对高频率、高效率、高稳定性的器件要求也日益严苛。

面对这一趋势，氮化镓（GaN）功率器件正逐渐成为新一代功率电子系统的核心。相比传统硅基MOSFET或IGBT，GaN具备更快的开关速度、更低的导通和切换损耗，以及出色的耐压性能，极大地推动了电源设计的革新。

時科紧跟全球技术步伐，重磅推出基于GaN-on-Si工艺平台、面向高频高效转换应用的增强型功率晶体管——SKGM10N65-N88，为工业级、高功率密度的转换系统提供前沿解决方案。

产品型号：SKGM10N65-N8

封装形式：DFN 8×8（无引脚扁平封装）

器件类型：增强型（Normally-Off）GaN功率晶体管

SKGM10N65-N8采用无引脚扁平封装形式（DFN 8×8），兼顾散热性能与PCB布板紧凑性，为现代高集成度电源设计提供更大空间灵活性。

1. 增强型结构，系统更安全

SKGM10N65-N8采用“Normally-OFF”增强型结构，工作逻辑与传统MOSFET一致，解决了“常导型”GaN的使用门槛问题，避免开机瞬间导通失控的风险，增强系统安全性。

2. 超快开关速度，提升系统频率

器件上升/下降时间分别为5 ns与6 ns，总延迟时间不足10 ns，适合高频LLC、同步整流、高速数字电源等场景，有效压缩外围磁性元件尺寸，提高功率密度。

3. 极低电荷参数，开关损耗极小

其栅极电荷仅为2.3nC，输出电荷仅22nC，反向恢复电荷为0。这意味着在大功率转换时几乎无“死区”与反向浪涌电流，有效降低系统EMI与驱动功耗。

4. 高度集成封装，节省空间成本

8×8 mm的DFN封装，具备良好的导热路径（热阻仅1.65°C/W），极大简化散热设计。同时，有效控制寄生电感，抑制高频震荡，助力PCB优化。

5. 严苛工业级验证，适用多场景

产品通过JEDEC工业认证，工作温度范围宽至150℃，具备抗ESD能力，适应工业电源、汽车电源等复杂环境，长期稳定运行更有保障。

✅ 高频AC-DC电源

SKGM10N65-N8特别适用于基于准谐振、临界导通模式的AC-DC转换器，在提升功率因数（PFC）的同时降低磁损耗和散热需求，实现更轻更小的电源产品。

✅ DC-DC变换器

尤其适用于48V-400V之间的隔离式或非隔离式DC/DC模块，例如服务器、数据中心、充电桩内部转换器等，支持高频工作，提升系统转换效率。

✅ 图腾柱PFC

GaN器件的快速关断和“零反向恢复”特性，让其完美适配图腾柱拓扑结构，实现真正意义上的高频PFC，提高系统功率因数与效率。

✅ 快充设备

在USB PD3.1等快充协议广泛普及背景下，GaN成为高功率快充适配器的核心器件。SKGM10N65-N8可助力构建高效率、高安全、体积小的充电解决方案。

✅ 高密度/高效率转换系统

包括激光设备、工业控制、便携式储能、医疗电源等场景，对高效率和小体积有刚性需求，GaN器件可减少散热器和磁性元件体积，是系统轻量化升级的关键。

时科SKGM10N65-N8代表着国产氮化镓功率器件发展的新高度。它以增强型结构保障系统安全，以极低损耗和高速切换提升系统效率，并以精巧封装优化空间布局，是高性能电源系统理想的“芯”选择。

面对新一轮高频高效电力变换革命，SKGM10N65-N8将与客户共同推动更多智能、高效、绿色的应用场景落地。选择时科，就是选择领先、稳定、可持续的功率器件伙伴。