小阻抗·大电流 —— 時科SKG100N06AD功率MOSFET

262025-09-30

随着新能源、电源管理、智能硬件的快速发展，系统对功率器件提出了更高要求：既要具备大电流承载能力，又要保证低损耗、高效率；既要满足小型化封装，又要兼顾散热与可靠性。在便携式电子、负载开关、PWM调制与功率管理等应用中，一颗高性能MOSFET往往决定了整机的能效与寿命。

在这一背景下，時科推出的 SKG100N06AD N沟道增强型功率MOSFET，凭借60V耐压、100A电流承载、超低RDS(on) 与 PDFN5x6-8L小型封装，成为新一代高效能电源和功率电路的理想之选。

型号：SKG100N06AD

类型：N沟道增强型功率MOSFET

封装形式：PDFN5x6-8L（小型表贴封装）

主要电气特性

漏-源耐压（VDS）：60V

连续漏极电流（ID）：100A

导通电阻（RDS(on)）：

≤2.5mΩ（VGS=10V）

≤4.5mΩ（VGS=4.5V）

栅源电压（VGS）：±20V

阈值电压（Vth）：1.0V ~ 3.0V

体二极管正向压降（VSD）：典型0.7V

这些参数意味着SKG100N06AD不仅能承受高电压冲击，还能在低栅压驱动下保持极低损耗，是高效功率系统的理想核心器件。

1.超低RDS(on)，提升能效

先进沟槽工艺显著降低导通电阻（典型值仅2.0mΩ），减少能量损耗，提升电源整体转换效率。

2.大电流承载，安全稳定

支持高达100A的持续电流，确保在大功率负载场景中仍具备稳定性与可靠性。

3.小型封装，空间友好

采用PDFN5x6-8L小封装，占板面积小，适合高密度布局，助力终端设备轻薄化与紧凑化设计。

4.驱动电压灵活，兼容性强

在4.5V低栅压下即可实现高效导通，支持逻辑电平驱动，适合与MCU、DSP直接配合使用。

5.优良的雪崩耐量与热特性

具备优异的雪崩能量承受能力，配合优化的热阻设计，确保器件在高温与冲击电流条件下依然稳定。

6.绿色环保，工艺先进

无铅设计，符合RoHS标准，满足全球环保与可靠性要求。

✅ 电源管理系统

在DC-DC转换器、负载开关与电源模块中，凭借低导通电阻和大电流特性，实现高能效输出。

✅ PWM控制与电机驱动

在PWM调制及小型电机驱动中，快速开关能力与低损耗特性帮助系统获得更高响应速度与更低发热。

✅ 便携式电子设备

小封装设计，非常适合应用于平板电脑、智能手机、VR设备等对空间敏感的产品。

✅ 储能与电池管理

在移动电源、储能电池保护电路中，保证电池安全、高效的充放电过程。

✅ 物联网与通信设备

在基站供电、路由器、物联网终端中，凭借高效率与稳定性，提供可靠的电源支持。

時科SKG100N06AD MOSFET以60V耐压、100A电流、超低2.5mΩ导通电阻的卓越性能，结合小型PDFN5x6-8L封装，不仅满足了现代电源管理和大电流应用的需求，更为系统的高能效与可靠性提供了保障。

它不仅是一颗MOSFET，更是時科为高性能电源与智能应用提供的核心驱动力。