驱动未来高压系统的SiC功率核心

在能源转换效率成为全球焦点的今天，功率半导体正经历着从硅（Si）向碳化硅（SiC）的时代跨越。SiC器件以其高耐压、高频、高温、高效率的特性，正成为新能源汽车、高端电源、工业驱动及储能系统的关键支撑。

在这一浪潮中，SHIKUES時科推出的SKSC170N027-T7-4 以1700V超高耐压、低导通电阻、高速开关能力和卓越的热性能，为高压能量变换系统提供了更安全、更高效的解决方案。

一、技术前景——从硅到碳化硅的能效革命

传统硅基MOSFET虽然成熟，但在高压与高频场景下，其导通损耗与开关损耗迅速增大，限制了系统的功率密度与散热效率。而碳化硅（SiC）凭借宽禁带、高击穿电场与高导热率的材料特性，成功突破了这些瓶颈。

在新能源汽车、光伏储能、充电桩与工业变频系统中，SiC MOSFET能在更高的电压下保持更低的损耗，从而：

• 提升系统效率3%~5%；
• 减少散热需求与器件体积；
• 降低能量损耗与系统成本。

SKSC170N027-T7-4 正是在此背景下应运而生的高性能SiC功率MOSFET。

二、产品参数——高压高流的可靠表现

其1700V耐压等级与27mΩ超低导通电阻在同功率级别产品中处于领先水平，兼顾高压可靠性与低损耗特性。

三、产品优势——高压系统的高效守护

1. 高阻断电压与低导通损耗并存

采用时科自研的第3代SiC沟槽栅结构（Trench Gate Technology），在保证高击穿电压的同时，显著降低RDS(on)，实现低损耗高效能量传输。

2. 高速开关性能，提升系统频率

极低的输入/输出电容（Ciss/Coss）和反向电荷（Qrr=915nC）让器件具备优异的开关响应速度，显著降低开关损耗，可轻松适配高频驱动设计，提升变换器的功率密度。

3. 卓越的热性能与功率能力

热阻RθJC仅为0.27°C/W，结合TO-247-4封装的优越散热路径，使SKSC170N027-T7-4能在高达150°C的结温下稳定运行，满足长期高功率密度系统要求。

4. 强抗雪崩与Latch-Up能力

器件具备出色的雪崩耐量与抗闩锁设计，能承受高dv/dt及高di/dt瞬态冲击，保障系统在电压尖峰、浪涌或异常工况下依旧安全稳定。

5. 易于驱动与并联

优化的栅极电荷设计（Qg=85nC），可兼容主流驱动IC，支持多管并联应用，简化设计难度并提升系统冗余性。

四、应用场景——赋能绿色能源与工业创新

SKSC170N027-T7-4凭借其高压、高速、高效的特性，广泛应用于高能量转换系统中，尤其适合以下场景：

🚗 新能源汽车功率驱动模块

用于车载DC/DC变换器、OBC车载充电器、逆变系统中，显著降低能量损耗、提升续航效率。

☀️ 光伏储能与逆变系统

在光伏逆变器和储能双向变换模块中，SiC器件的低损耗与高频特性有助于实现更高的能效转换与更紧凑的设计。

⚡ 工业电源与伺服驱动

SKSC170N027-T7-4具备高耐压与低RDS(on)，特别适用于伺服控制器、焊机电源、感应加热等高功率应用。

🔋 充电桩与UPS系统

在快充桩和UPS不间断电源中，SiC器件可降低热损耗，提高系统可靠性与功率密度。

五、安全与可靠性设计

从晶圆、封装、框架三大层面强化安全性能：

• 晶圆层面：采用高品质SiC基片，具备优异的击穿电场与雪崩耐量；
• 封装层面：TO-247-4大功率封装具备高热传导效率与良好绝缘性能；
• 框架结构：优化内部电流分布路径，确保电流传输均匀，避免热点与局部过流；

三重安全机制共同保障器件在高压高流场景下长期稳定运行。

六、总结：功率变换的可靠之芯

SKSC170N027-T7-4 是SHIKUES時科面向高压能量系统推出的旗舰级SiC功率MOSFET。

它不仅是一款高性能器件，更代表了时科在碳化硅功率领域的技术积淀与工程能力：

• 高压耐受，低损耗高效率；
• 高速开关，满足高频驱动；
• 高可靠性，保障系统安全。

在未来新能源与工业电子的浪潮中，時科将持续以“产品为王，客户至上”的理念，打造更多高性能功率器件解决方案，为全球绿色能源系统提供稳定高效的“良芯”动力。