高压高效的SiC动力核心，SKSC120N080G1-ST7

在全球能源结构转型与电能高效利用的浪潮中，碳化硅（SiC）功率器件正以其出色的性能，成为推动新能源与智能制造的重要驱动力。

SiC器件凭借更高的击穿电场、更低的导通电阻、更快的开关速度，成功突破了传统硅功率器件在高压、高频、高温场景下的技术瓶颈。

在这一背景下，時科推出了SKSC120N080G1-ST7 —— 一款专为高压系统设计的N沟道碳化硅功率MOSFET，以1200V耐压、30A输出能力、80mΩ导通电阻的优异表现，为新能源与工业领域带来高效、安全、低损耗的能量转换体验。

技术前景：碳化硅掀起能效革命

随着新能源汽车、光伏储能、充电桩及高端电源的快速普及，功率器件正面临更严苛的功率密度与能效要求。

传统硅MOSFET和IGBT虽然成熟，但其导通损耗高、开关速度慢、散热压力大，难以支撑新一代高效电能转换系统。

而SiC MOSFET 以其高击穿电场（是Si的10倍）与高导热率（是Si的3倍），成为实现“高压高频高效率”三重突破的关键材料。

SHIKUES的SKSC120N080G1-ST7正是立足这一趋势研发，面向1200V电压平台与中高功率系统的核心应用需求。

产品参数与特性表现

这些数据表明，SKSC120N080G1-ST7兼具高耐压、高速开关和低能耗特性，是高功率密度与高频设计的理想之选。

产品优势：高效与安全的并行进化

1. 高耐压 · 稳定可靠

SKSC120N080G1-ST7支持1200V高压等级，在高负载与高温环境下依然保持极低的漏电流。其宽禁带SiC材料拥有更高的击穿电场强度，有效提升系统安全裕量。

2. 低导通电阻 · 降低能耗

80mΩ的RDS(on)显著减少导通损耗，使其在大电流场景下依旧保持高能效表现，特别适合对效率敏感的电源变换与驱动系统。

3. 超高速开关 · 提升功率密度

凭借低Qg（50nC）与极小的Coss（64pF），器件在开关过程中损耗更低，可支持更高的工作频率，进一步缩小变压器、电感与散热器尺寸，从而实现系统轻量化与高集成度。

4. 强雪崩与热稳定性

产品通过100%雪崩测试（Avalanche Tested），具备卓越的浪涌承受能力，能有效抵御高dv/dt瞬态电压冲击。同时结温上限高达175°C，热阻仅1.0°C/W，保障系统在恶劣工况下依旧稳定运行。

5. 高可靠封装 · 工业级耐久

采用TO-263-7L无铅环保封装，兼顾高功率承载与优异的散热性能，适配SMT自动化生产。全系列通过RoHS与Halogen Free认证，满足全球绿色制造标准。

应用领域：驱动高压能量变换系统

SKSC120N080G1-ST7已在多个行业场景中得到验证，凭借其卓越的能效与可靠性，成为高端系统的理想核心器件。

1.光伏逆变与储能变换

在太阳能并网逆变器、储能变换模块中，SiC MOSFET可将系统效率提升3~5%，实现高频化设计，减少磁性元件体积，提升整体功率密度。

2. 电动汽车与充电桩系统

在车载OBC（车载充电器）与快充桩中，SKSC120N080G1-ST7可实现更快的能量转换与更低的发热量，帮助系统缩小体积并提高转换效率。

3. UPS与工业电源

适用于不间断电源UPS、伺服驱动、焊机与工业逆变系统，有效降低能量损耗、提升负载响应速度与输出稳定性。

4. 高端电机与变频控制

在工业变频器、感应加热、风能发电系统中，SiC MOSFET凭借其高耐压与高速特性，能实现精准控制与能量优化分配。

安全结构：从芯片到封装的三重防护

晶圆层面：

采用時科自研高质量SiC基片，具备更高的击穿场强与雪崩耐受能力；沟槽型栅结构有效优化电场分布，提升可靠性。

封装层面：

TO-263-7L封装具备优异的热传导性能与电气绝缘能力；低热阻路径确保高功率运行时的热稳定性。

框架结构：

内部铜框与键合线布局经过精密优化，保证电流分布均匀、减少热点、增强抗振与抗浪涌能力，确保长期安全运行。

总结：让高压系统更高效、更可靠

SKSC120N080G1-ST7 不仅仅是一颗SiC MOSFET，更是時科在高压能量转换领域持续创新的代表之作。它以“高效、安全、稳定”为核心设计理念，融合了高压耐受、高速切换与优异的热特性，成为新能源驱动、电力变换与工业控制系统中的关键之芯。