高速低阻的100V功率核心，助力高效能电源系统

在电子设备不断向高功率密度、小型化与高转换效率方向发展的今天，功率半导体的性能成为系统竞争力的关键。随着快充、电机控制、网络通信与LED电源等领域对高频、高效开关器件需求的增加，如何在降低功耗的同时保障系统稳定运行，成为各大工程师共同面对的挑战。

時科推出的SKG95N10AD N沟道功率MOSFET，正是在这一趋势下诞生的高性能解决方案。

该器件以100V耐压、95A连续电流、5.5mΩ超低导通电阻为核心指标，结合优化的沟槽型DMOS结构，兼顾高速、低损耗与高可靠性表现，成为中高功率快充电源、LED驱动、DC/DC模块与工业控制系统的理想选择。

高频高效时代的“能量守护者”

在快充、通讯电源与新能源汽车电子控制系统中，系统对功率器件的要求早已超越“能用”，而是要在高速开关、低EMI、高稳定性之间实现平衡。传统MOSFET虽然成熟，但其导通损耗与反向恢复损耗仍然是系统发热与效率损失的主要来源。

针对这一痛点，時科通过先进的Trench DMOS沟槽型设计，在降低RDS(on)的同时提升器件的dv/dt承受能力，使其既能实现高频率快速切换，又能在复杂负载与浪涌环境中保持稳定。

效率与安全的双重进化

1.超低RDS(on)，减少能量损耗

通过沟槽型DMOS结构与优化的掺杂分布，SKG95N10AD在10V驱动下仅有5.5mΩ导通电阻，大幅降低导通损耗，提升系统能效，尤其适用于高电流快充与同步整流场景。

2.快速开关，降低系统损耗

极低的栅极电荷（Qg）与开关延迟时间（td(on)=24ns、td(off)=45ns），让器件在高频切换中保持更高能效表现；配合改进的dv/dt特性，减少EMI干扰，提高系统稳定度。

3.卓越的雪崩耐量与安全余量

時科SKG95N10AD通过100% EAS雪崩测试（405mJ），具备强大的浪涌承受力与稳定性，适用于电感性负载驱动系统，避免电压突变导致的失效。

4.热设计优异，稳定可靠

采用PDFN 5×6封装结构，热阻仅0.65℃/W，热传导路径更短，搭配散热基板可快速释放热能，支持高达150℃结温连续运行，保障系统长期可靠。

5.绿色环保、兼容性强

产品符合RoHS环保标准，封装兼容国际通用尺寸，适配主流驱动芯片设计与SMT自动化生产，降低客户设计门槛。

以性能驱动高效系统

SKG95N10AD 以其高电流、高频、低阻抗特性，成为众多高功率转换系统的核心驱动组件，特别适用于以下场景：

⚡ 1. 快速充电器（Quick Charger）

支持高频开关与高电流同步整流，降低温升与转换损耗，让充电效率更高、适配器更轻薄。

💡 2. LED照明电源

在恒流驱动与调光电源中保持低损耗与低热量，提高能量利用率与系统寿命。

🔋 3. DC/DC转换与负载开关

用于通信、服务器及工业模块电源，实现高效DC-DC能量传输及稳定输出控制。

🌐 4. 网络与工业控制

在网络交换设备、PoE电源与PLC系统中提供高速响应能力与浪涌防护性能。

从芯片到封装的系统防护

晶圆层面：

采用時科优化的沟槽DMOS芯片结构，提升沟道密度与电流均匀性，保证低阻抗与强雪崩能力。

封装层面：

PDFN 5×6金属底板封装具备高散热效率与机械强度，适应高温高频工况。

框架结构：

多点焊接与加宽引脚设计确保大电流传输稳定，避免局部过热与应力疲劳问题。

三重安全防护，使SKG95N10AD在高速、高压、大电流环境下依然运行可靠。

高能效时代的“强芯力量”

SKG95N10AD 是時科在中压功率MOS领域的重要力作，集成高电流承载能力、低导通损耗、快速响应与高可靠性于一身。

它不仅满足快充电源与工业驱动系统的严苛要求，更在节能降耗与系统安全层面树立了行业新标杆。