高效率电源与智能设备的高性能 N 沟道 MOSFET 解决方案

在快充电源、智能家居、便携式储能、电机驱动等电子市场快速增长的大背景下，优秀的功率器件已成为推动新一代产品性能提升的重要关键。无论是充电器想要实现更小体积与更低损耗，还是马达驱动系统追求更低发热、更高可靠性，功率 MOSFET 的品质都直接影响产品的稳定性与效率。

基于市场对于高效率、小封装、高可靠功率器件的持续增长需求，時科推出了 SKG50N03BD N-channel MOSFET。该产品不仅具备极低的导通电阻，还兼具超快开关速度、高可靠雪崩能力和优异的热性能，适用于对效率与安全都有高要求的消费电子、工业电子与电机设备。

高功率密度时代，需要更先进的 MOSFET

近年来，USB PD 快充、GaN 氮化镓充电器、电池管理系统、小型电动工具、智能机器人等设备迅速普及，使得功率器件面临以下挑战：

• 更高效率要求（降低能耗）
• 更小封装要求（提升功率密度）
• 更高可靠性要求（避免击穿与热失控）
• 更快开关特性（适应高频拓扑）

市场需要一种具备“低 RDS(on) + 高电流能力 + 快速开关 + 可靠封装”的MOSFET解决方案。

在这样的趋势下，SKG50N03BD 应运而生，为高功率设备提供稳定可靠的核心驱动力。

核心参数（依据规格书）

这些参数让 SKG50N03BD 成为 小体积高性能方案的优先选择。

产品优势解析

1.低导通电阻 —— 提升效率，降低发热

SKG50N03BD 的 4.1mΩ（10V 驱动）导通电阻在同级产品中极具竞争力，可显著降低：

• MOSFET 导通损耗
• 整机温升
• PCB 散热压力

非常适合高电流密度的 PD 快充与DC-DC转换器。

2. 高速开关特性 —— 优化系统动态性能

该器件具备 11.4nC 的低 Qg 与极短的开关时间：

• Turn-on 5.4ns
• Turn-off 17.7ns

这不仅减少了开关损耗，还使系统能适应更高的开关频率，从而：

• 缩小磁性元件体积
• 提升整体功率密度
• 让 PD 快充与开关电源更加轻薄高效

3. 高耐压 + 雪崩能力保障系统安全

SKG50N03BD 提供 56mJ 雪崩能量（EAS），具备强吸收浪涌能力，可抵御：

• 感性负载反向冲击
• 电机刹车瞬态能量
• 电源开关时的高压尖峰

这让其在电机控制、DC-DC模组中表现更可靠。

4. 小型PDFN 3.3×3.3封装 —— 小体积，高散热

PDFN 封装的优势包括：

• 更低的热阻（RθJC=5℃/W）
• 底部大面积散热焊盘
• 高机械可靠度

适用于高功率与高频应用场景，其散热表现明显优于传统 SOT、TO类小封装。

5. 高可靠性与符合 JEDEC 标准

通过多项可靠性测试，包括：

• HTRB 高温反偏
• TCT 温度循环
• 焊接热冲击
• 机械可靠性

保证长期稳定运行。

应用场景

PD快充与氮化镓电源

轻薄、低发热、小体积是快充电源最重要的趋势。

SKG50N03BD 的低导通电阻 + 小封装设计，使其可作为：

• 同步整流管
• 高侧/低侧 MOS
• 二次侧整流管

搭配 GaN 主控可显著提升系统功率密度。

2. 电机驱动（风扇、电动工具、机器人、小家电）

凭借 50A 连续电流 + 190A 脉冲能力，适合作为：

• 无刷电机驱动 MOS
• 低压伺服系统
• 电动玩具、电动牙刷驱动
• 家用风扇 PWM 开关设备

其高可靠性确保长时间工作不易损坏。

3. DC-DC转换器

在高频低压 DC-DC 电路中，SKG50N03BD 可承担：

• 主功率开关
• 快速低损耗替代方案

适用于主板电源、智能家电电源模组等。

4. 工控电源与嵌入式电源系统

• PLC 模块
• 伺服控制板
• 工控网关
• 物联网供电模块

可保证系统长时间稳定运行。

行业优势与解决方案价值

结合行业趋势，SKG50N03BD 为工程师带来以下价值：

• 缩小产品体积（PDFN封装优势）
• 降低系统功耗（低 RDS(on)）
• 提升产品寿命（优秀的热与雪崩能力）
• 提升设计简易性（稳定、安全、易驱动）
• 降低成本，提高可靠性（替代同类进口产品）

它不仅是一个 MOSFET，而是一个为“高能效解决方案”打造的核心器件。

SKG50N03BD，让高效设备拥有良芯

随着快充、智能设备、储能及电机应用快速扩张，具备高性能、高可靠、高功率密度的 MOSFET 将成为行业竞争的基础。

SHIKUES 推出的 SKG50N03BD，凭借卓越的导通性能、快速开关能力与优异的散热表现，为多个行业提供稳定可靠的功率支持。