洞察未来充电趋势：時科精彩亮相亚洲充电展（秋季）

2023年8月23日至25日，時科携带新产品、新技术、新方案惊艳出席于深圳会展中心（福田）3号馆举办的秋季亚洲充电展，

这场备受瞩目的盛会由充电头网发起，将在现代化国际都市群粤港澳大湾区举行。作为全球最具影响力的能源电子技术展之一，亚洲充电展（简称ACE）不仅是充电领域的技术产业盛典，更是窥探电源行业最新技术与产品信息的重要窗口。

在本次展会中，時科展示了面向快充、储能等领域的一系列解决方案，吸引了众多工程师朋友的驻足观览和深入交流洽谈。其中，备受瞩目的GaN整合IC拥有引人注目的技术参数：VDS为650V，ID为15A，Qoss为20 nC，Coss为20pF。该技术广泛应用于快充、电源适配器、手机和平板充电器等领域，

该产品具有多重优势：首先，闪充技术的实现需要充电器与手机电源管理芯片的紧密协同。氮化镓整合IC以其小封装和高效特性，有效节省了手机的空间，同时提高了充电效率。

其次，氮化镓整合IC在新能源领域的应用优势明显。与传统硅技术相比，GaN芯片将开关速度最多提升了4倍，同时降低了电压和电流的交叉损耗，将功率密度最高提升了40%。这不仅降低了整体系统的重量和成本，还推动了新能源领域的创新发展。

此外，氮化镓以高频、高效和大功率的特性，广泛应用于有线电视、通讯器件、手机充电器等领域，展现了其在多个领域的全面应用潜力。

在另一方面，時科还展示了IGBT方案，参数包括Vce为650V，Ic为50A，VCEsat为1.4-1.58V，VGE为±20V。这一方案被广泛应用于充电器、太阳能逆变器、消费电子、电源应用等领域。其优势明显：

首先，该方案具备低导通损耗和低开关损耗的特点，且具有出色的高电压承受能力，因此在不间断电源中能够降低系统损害，提高系统可靠性。

其次，采用SIC二极管混合式IGBT驱动功率小且饱和压降低，此外SIC二极管还具有无反向恢复时间的特点。在充电桩等应用中，这将提升用电效率和产品质量。

最后，针对光伏逆变器等领域需求，SIC二极管混合式IGBT方案不仅满足了体积小、重量轻、安装便捷、易维护的要求，还在光照不足等轻载条件下保持高效率，同时还降低了电磁干扰等方面的不利影响。

除了技术方案的精彩呈现，時科还为参观者准备了精美礼品。期待您在8月23日至25日期间光临B93時科展位，共同见证这一充满创新与洞察力的盛会。不见不散！