洞察未來充電趨勢：時科精彩亮相亞洲充電展（秋季）

2023年8月23日至25日，時科攜帶新產品、新技術、新方案驚艷出席於深圳會展中心（福田）3號館舉辦的秋季亞洲充電展，

這場備受矚目的盛會由充電頭網發起，將在現代化國際都市群粵港澳大灣區舉行。作為全球最具影響力的能源電子技術展之一，亞洲充電展（簡稱ACE）不僅是充電領域的技術產業盛典，更是窺探電源行業最新技術與產品信息的重要窗口。

在本次展會中，時科展示了面向快充、儲能等領域的一系列解決方案，吸引了眾多工程師朋友的駐足觀覽和深入交流洽談。其中，備受矚目的GaN整合IC擁有引人註目的技術參數：VDS為650V，ID為15A，Qoss為20 nC，Coss為20pF。該技術廣泛應用於快充、電源適配器、手機和平板充電器等領域，

該產品具有多重優勢：首先，閃充技術的實現需要充電器與手機電源管理芯片的緊密協同。氮化鎵整合IC以其小封裝和高效特性，有效節省了手機的空間，同時提高了充電效率。

其次，氮化鎵整合IC在新能源領域的應用優勢明顯。與傳統矽技術相比，GaN芯片將開關速度最多提升了4倍，同時降低了電壓和電流的交叉損耗，將功率密度最高提升了40%。這不僅降低了整體系統的重量和成本，還推動了新能源領域的創新發展。

此外，氮化鎵以高頻、高效和大功率的特性，廣泛應用於有線電視、通訊器件、手機充電器等領域，展現了其在多個領域的全面應用潛力。

在另一方面，時科還展示了IGBT方案，參數包括Vce為650V，Ic為50A，VCEsat為1.4-1.58V，VGE為±20V。這一方案被廣泛應用於充電器、太陽能逆變器、消費電子、電源應用等領域。其優勢明顯：

首先，該方案具備低導通損耗和低開關損耗的特點，且具有出色的高電壓承受能力，因此在不間斷電源中能夠降低系統損害，提高系統可靠性。

其次，采用SIC二極管混合式IGBT驅動功率小且飽和壓降低，此外SIC二極管還具有無反向恢復時間的特點。在充電樁等應用中，這將提升用電效率和產品質量。

最後，針對光伏逆變器等領域需求，SIC二極管混合式IGBT方案不僅滿足了體積小、重量輕、安裝便捷、易維護的要求，還在光照不足等輕載條件下保持高效率，同時還降低了電磁幹擾等方面的不利影響。

除了技術方案的精彩呈現，時科還為參觀者準備了精美禮品。期待您在8月23日至25日期間光臨B93時科展位，共同見證這一充滿創新與洞察力的盛會。不見不散！