GaN 是第三代半导体材料的杰出代表，其在高频、大功率半导体芯片领域应用市场巨大； GaN基电子器件是电力电子和微波射频器件的“核芯”，是全球战略竞争新的制高点。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场，
由于材料上的优势，GaN功率器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷(意味着更优秀的传导和开关性能)。因此GaN功率器件更适合于高频应用场合，对提升变换器的效率和功率密度非常有利。時科作为全球工程师的优质战略合作伙伴，为满足市场需求，推出新品GaN整合IC SKGI8020、SKGI8120，是65WPD快充的最佳解决方案。
SKGI8020 、SKGI8120采用三合一芯片，整合控制器、驱动器、HEMT；支援二次侧控制；支持最小化PCB、减少搭配问题，实现最佳性价比.
同时GaN HEMT整合式IC，使适配器最小化，外部元件少 15%， PCB可小30%，解决客户四大核心问题：
1、整合被动元件置系统，降低零件成本费用2、提高1~5倍高压开关切换频率，兼顾EMI与减少切换损失。3、采用贴片式的QFN 8X8包装，使Lead Frame 裸露。上件后使裸露的 Exposed Pad与电路板贴合，达到散热的目的。
4、驱动级、控制器、HEMT整合，使用方便并使效能最佳化
SKGI8020是具有整合高压 GaN 晶体管的AC/DC控制器方案，可实现高效能运行。该方案提供高效能、低成本反激电源，可以将70W升压至100W。SKGI8020是针对使用基于隔离器的反馈的传统反激式架构。它可以在 100~500 kHz 范围内工作，以在使用传统系统架构的同时提高变压器尺寸和功率密度。SKGI8020 实现了启动控制器和脉冲隔离接口，以达到完成启动一次侧或二次侧。使用二次侧可以改善瞬态响应以及管理负载接口
产品特征：①集成启动调节器②工作频率高达 500 kHz
③坡底切换操作以实现高效率
④最少的 BOM 数量和成本
⑤待机功耗低
产品应用：① USB type-C 电源适配器②手机和平板充电器
③ 笔记本电脑适配器
④ 消费电子
SKGI8120 封装 QFN4x4m，使用外部 HEMT，其他功能同SKGI8020。
時科新品GaN以安全、低功耗、高性能为宗旨，助力快充芯体验，更多详细参数，请联系对应客户经理，或致电4006623488了解更多详情。
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