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设计技术文章
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高压高效的SiC动力核心,SKSC120N080G1-ST7
驱动未来高压系统的SiC功率核心
面向高速接口的专业级ESD防护解决方案
驱动高功率新时代 —— 時科SKSC075N005-S7 SiC功率MOSFET
小阻抗·大电流 —— 時科SKG100N06AD功率MOSFET
从选型到应用:MOSFET性能优化的核心之道
随着电子技术的不断进步,MOSFET(场效应晶体管)在各种电源管理、电机驱动和功率转换设备中扮演了至关重要的角 […]
2025-09-30
76
带阻三极管的多场景应用:時科DTC114系列的实践价值
在现代电子设备的设计中,带阻三极管因其多功能性和可靠性,被广泛应用于各种电路中。上两篇文章,我们通过详细的讲解 […]
2025-09-30
73
時科SKQ80N03AD N-MOS的核心优势解析
随着电子设备向高效率、低功耗和高可靠性方向发展,MOSFET作为核心元器件,其性能直接影响整体电路设计的成败。 […]
2025-09-30
76
Trench 工艺与超低导通电阻,時科N-MOS 应用解析
随着电子技术的不断进步,功率器件的性能要求也在逐步提升,尤其是在高效电源转换、智能电池管理和高功率应用中。MO […]
2025-09-29
87
掌握核心参数,解锁IGBT+FRD最佳选型秘诀
在功率电子领域,系统设计中的核心挑战是如何在高效能量管理和设备可靠性之间取得平衡。IGBT(绝缘栅双极型晶体管 […]
2025-09-29
95
功率电子领域的性能标杆
在现代功率电子领域,器件的选择直接影响到整个系统的效率、稳定性以及使用寿命。随着能源转型和智能化控制的不断推进 […]
2025-09-29
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