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设计技术文章

Design technology article

高效率电源与智能设备的高性能 N 沟道 MOSFET 解决方案
高速低阻的100V功率核心，助力高效能电源系统
高压高效的SiC动力核心，SKSC120N080G1-ST7
驱动未来高压系统的SiC功率核心
面向高速接口的专业级ESD防护解决方案
掌握核心参数，解锁IGBT+FRD最佳选型秘诀
在功率电子领域，系统设计中的核心挑战是如何在高效能量管理和设备可靠性之间取得平衡。IGBT（绝缘栅双极型晶体管 […]
2025-09-29 131
功率电子领域的性能标杆
在现代功率电子领域，器件的选择直接影响到整个系统的效率、稳定性以及使用寿命。随着能源转型和智能化控制的不断推进 […]
2025-09-29 98
IGBT+FRD全场景应用解析
在功率电子技术飞速发展的今天，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）与FRD（快速恢复二极管）组合已成为高效能量转换和 […]
2025-09-26 308
小封装·大能量|時科SK3400 N沟道MOSFET
随着智能电子与便携设备的广泛普及，电源管理芯片和功率MOSFET在终端设计中的作用愈加关键。无论是智能手机、可 […]
2025-09-22 262
如何精准选型场效应管？关键要素解析
在现代电子产品中，MOSFET（场效应管）广泛应用于功率转换、电机驱动、DC-DC转换等高效能场景。面对市场上 […]
2025-09-19 272
高效应用场景解析，助力产业升级
在电力电子和能源转换领域，MOSFET的应用范围越来越广，从消费电子到工业自动化、汽车电子再到可再生能源系统， […]
2025-09-18 289