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设计技术文章

Design technology article

小封装·低压降·高效率，SOD-323G肖特基二极管
高效率电源与智能设备的高性能 N 沟道 MOSFET 解决方案
高速低阻的100V功率核心，助力高效能电源系统
高压高效的SiC动力核心，SKSC120N080G1-ST7
驱动未来高压系统的SiC功率核心
Trench 工艺与超低导通电阻，時科N-MOS 应用解析
随着电子技术的不断进步，功率器件的性能要求也在逐步提升，尤其是在高效电源转换、智能电池管理和高功率应用中。MO […]
2025-09-29 144
掌握核心参数，解锁IGBT+FRD最佳选型秘诀
在功率电子领域，系统设计中的核心挑战是如何在高效能量管理和设备可靠性之间取得平衡。IGBT（绝缘栅双极型晶体管 […]
2025-09-29 169
功率电子领域的性能标杆
在现代功率电子领域，器件的选择直接影响到整个系统的效率、稳定性以及使用寿命。随着能源转型和智能化控制的不断推进 […]
2025-09-29 121
IGBT+FRD全场景应用解析
在功率电子技术飞速发展的今天，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）与FRD（快速恢复二极管）组合已成为高效能量转换和 […]
2025-09-26 437
小封装·大能量|時科SK3400 N沟道MOSFET
随着智能电子与便携设备的广泛普及，电源管理芯片和功率MOSFET在终端设计中的作用愈加关键。无论是智能手机、可 […]
2025-09-22 372
如何精准选型场效应管？关键要素解析
在现代电子产品中，MOSFET（场效应管）广泛应用于功率转换、电机驱动、DC-DC转换等高效能场景。面对市场上 […]
2025-09-19 390