2023年10月11日，为期三天的深圳电子元器件及物料采购展览于深圳国际会展中心（宝安）盛大开幕。这一展览旨在全面展示电子产品设计与制造所需的各种电子元器件及物料产品，为广泛来自电子产品生产领域的专业采购人员提供了一个独特的采购平台。 時科，作为全球工程师的重要战略合作伙伴，携带着在快充、储能、光伏等热门领域的高效解决方案亮相了本次展会（位于展馆3号馆，展位号3G15）。展会的第一天，時科就吸引了众多国内外工程师的兴趣，他们前来咨询交流并签订订单。 在展会上，時科展出的GaN FET产品包括SKGM18N65-N8和SKGM18N65-T，采用了Cascode结构，易于使用，与标准柵极驱动器兼容，具有低QRR，不需要自由旋转二极管，以及低开关损耗等特点。这些产品广泛应用于计算机、电源适配器和消费电子领域，并具有以下优势： 1 高效节能：GaN材料的独特极化特性和高导通电阻小、开关速度快的特点，大大减少了器件的通态损耗和开关损失。 2 小型化、轻量化、低成本化：由于GaN材料的宽禁带等特性，使得GaN器件能够在更高温度环境下工作，从而使得电力电子装置更小型化和轻量化，降低了系统制造成本。 3 输出功率密度大，驱动力强劲：GaN器件具有高耐压能力和高电流密度，能够实现更大的功率密度。 此外，现场还展示了碳化硅肖特基二极管（Q-SSCxxxx系列），这也引起了众多工程师和采购人员的关注。这些产品具有可忽略的反向恢复、高速开关、不受温度影响、低散热要求和高可靠性等特点，主要用于逆变器、不间断电源、HID照明、电机驱动和大功率设备。 碳化硅二极管的优势包括： 1 快速切换速度和无反向恢复电流，可减少系统损耗，提高系统工作频率的灵活性，特别适用于太阳能逆变器。 2 高效率，不受温度影响，适用于开关电源，能提高效率并降低损耗。 3 在新能源汽车充电桩中，碳化硅二极管具有高频高效的特点，可以提高效率和充电速度。 超40个细分品类，近5000款单品，更多产品详情及应用解决方案，欢迎前来深圳国际会展中心（宝安）3号馆3G15時科展位。携手時科SIC、氮化镓等第三代半导体共同推动电子科技领域的发展。  

2023年8月23日至25日，時科攜帶新產品、新技術、新方案驚艷出席於深圳會展中心（福田）3號館舉辦的秋季亞洲充電展， 這場備受矚目的盛會由充電頭網發起，將在現代化國際都市群粵港澳大灣區舉行。作為全球最具影響力的能源電子技術展之一，亞洲充電展（簡稱ACE）不僅是充電領域的技術產業盛典，更是窺探電源行業最新技術與產品信息的重要窗口。 在本次展會中，時科展示了面向快充、儲能等領域的一系列解決方案，吸引了眾多工程師朋友的駐足觀覽和深入交流洽談。其中，備受矚目的GaN整合IC擁有引人註目的技術參數：VDS為650V，ID為15A，Qoss為20 nC，Coss為20pF。該技術廣泛應用於快充、電源適配器、手機和平板充電器等領域， 該產品具有多重優勢：首先，閃充技術的實現需要充電器與手機電源管理芯片的緊密協同。氮化鎵整合IC以其小封裝和高效特性，有效節省了手機的空間，同時提高了充電效率。 其次，氮化鎵整合IC在新能源領域的應用優勢明顯。與傳統矽技術相比，GaN芯片將開關速度最多提升了4倍，同時降低了電壓和電流的交叉損耗，將功率密度最高提升了40%。這不僅降低了整體系統的重量和成本，還推動了新能源領域的創新發展。 此外，氮化鎵以高頻、高效和大功率的特性，廣泛應用於有線電視、通訊器件、手機充電器等領域，展現了其在多個領域的全面應用潛力。 在另一方面，時科還展示了IGBT方案，參數包括Vce為650V，Ic為50A，VCEsat為1.4-1.58V，VGE為±20V。這一方案被廣泛應用於充電器、太陽能逆變器、消費電子、電源應用等領域。其優勢明顯： 首先，該方案具備低導通損耗和低開關損耗的特點，且具有出色的高電壓承受能力，因此在不間斷電源中能夠降低系統損害，提高系統可靠性。 其次，采用SIC二極管混合式IGBT驅動功率小且飽和壓降低，此外SIC二極管還具有無反向恢復時間的特點。在充電樁等應用中，這將提升用電效率和產品質量。 最後，針對光伏逆變器等領域需求，SIC二極管混合式IGBT方案不僅滿足了體積小、重量輕、安裝便捷、易維護的要求，還在光照不足等輕載條件下保持高效率，同時還降低了電磁幹擾等方面的不利影響。 除了技術方案的精彩呈現，時科還為參觀者準備了精美禮品。期待您在8月23日至25日期間光臨B93時科展位，共同見證這一充滿創新與洞察力的盛會。不見不散！